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頂部發射可以提高發光顯示器的亮度、色彩純度和面板制造兼容性。然而，頂發射量子點發光二極管(QLEDs)存在穩定性差、光輸出耦合低和不可忽略的角度依賴性等問題，因為對于非紅發射的QLEDs來說，器件結構與單模光學微腔不兼容。

在這篇文章中，蘇州大學材料與化學化工學部研究團隊證明通過改進確定反射穿透深度的方法和創建降低折射率的過程，可以克服綠色QLED面臨的問題。這帶來了先進的器件性能，實現超過160萬尼特的亮度及204.2 cd A-1的電流效率，T95在1000尼特下的工作壽命為15,600小時。同時，研究團隊的設計不影響光耦合，因為在沒有光提取方法的情況下提供了29.2%的外部量子效率。最后，通過縮小量子點的發射線寬，實現了Δu'v'=0.0052從0°到60°的角色偏移。

Ultrabright and stable top-emitting quantum-dot light-emitting diodes with negligible angular color shift

Mengqi Li, Rui Li, Longjia Wu, Xiongfeng Lin, Xueqing Xia, Zitong Ao, Xiaojuan Sun, Xingtong Chen & Song Chen*