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牛津大學(xué)Henry J. Snaith教授團隊通過(guò)研究表明，Voc缺陷是由鈣鈦礦和ETL界面處較差的能帶排列引起的。另外通過(guò)漂移擴散模擬，移動(dòng)離子阻礙電荷提取，可導致Jsc損失。

在這篇文章中，團隊將理論和實(shí)驗方法相結合，以了解和減少寬帶隙Br-rich鈣鈦礦pin器件在開(kāi)路電壓（Voc）和短路電流（Jsc）條件下的損耗。內部準費米能級分裂（QFLS）和外部Voc之間的失配對這些器件是有害的。

用guanidinium-Br和imidazolium-Br修飾鈣鈦礦頂表面在n-界面形成低維鈣鈦礦相，可抑制QFLS-Voc失配，并提高Voc。同時(shí)，在p界面使用離子夾層或自組裝單層可減少由移動(dòng)離子在Jsc引導的推斷場(chǎng)屏蔽，促進(jìn)了電荷提取并提高了Jsc。n型和p型優(yōu)化的結合能夠接近鈣鈦礦吸收層的熱力學(xué)潛力，從而產(chǎn)生1cm2的器件，Vocs的性能參數高達1.29?V、 填充因子超過(guò)80%，Jscs高達17mA/cm2，在85°C時(shí)，T80的熱穩定性壽命超過(guò)3500h。

研究團隊使用 Setfos模擬仿真軟件 證明，由于在鈣鈦礦界面處有更強的電場(chǎng)，空穴傳輸層增強了電荷提取。

產(chǎn)品推薦-Setfos模擬仿真軟件

文獻信息

Open-circuit and short-circuit loss management in wide-gap perovskite p-i-n solar cells