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盡管真空沉積金屬鹵化物鈣鈦礦發(fā)光二極管（PeLED）在大面積高色域顯示器中的應用前景廣闊，但真空沉積制備PeLED的效率目前落后于溶液法制備的同類(lèi)產(chǎn)品。

在這篇文章中，研究人員通過(guò)在高真空下優(yōu)化沉積前軀體的化學(xué)配比，并為鈣鈦礦發(fā)射層（EML）沉積超薄上下層，最終制備了高效的PeLED。與大多數真空沉積有機發(fā)光器件的情況相反，這些鈣鈦礦EML的性能受到上層及預成型材料的存在和性質(zhì)的高度影響，從而能夠提高所得器件的性能。通過(guò)消除鈣鈦礦EML中的Pb°形成和鈍化缺陷，以獲得光滑平坦的幾何形狀，使得PeLED實(shí)現了10.9%的出色外部量子效率（EQE）。當集成出光耦合結構時(shí)，達到21.1%，突破了真空沉積PeLED的10%EQE里程碑。

其中我公司代理的SETFOS模擬仿真軟件在研究過(guò)程中提供PeLED光學(xué)模擬

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文獻信息

Vacuum-Deposited Inorganic Perovskite Light-Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 10% via Composition and Crystallinity Manipulation of Emission Layer under High Vacuum

Chung-An Hsieh, Guang-Hsun Tan, Yung-Tang Chuang, Hao-Cheng Lin, Po-Ting Lai, Pei-En Jan, Bo-Han Chen, Chih-Hsuan Lu, Shang-Da Yang, Kai-Yuan Hsiao, Ming-Yen Lu, Li-Yin Chen, Hao-Wu Lin