kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀是一種非接觸、實(shí)時(shí)測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實(shí)現了晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測。

kSA BandiT多晶片溫度監控軟件結合了自動(dòng)伺服馬達控制的掃描檢測功能,從而實(shí)現了MBE外延薄膜生長(cháng)過(guò)程中多襯底溫度實(shí)時(shí)Mapping檢測。

該系統在外延薄膜生長(cháng)過(guò)程提供襯底/晶片實(shí)時(shí)的二維溫度信息的系統。對Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵的直接檢測；采用溫度和半導體材料對光的吸收邊（譜帶能量）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測量結果更為準確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統等和熱處理、退火設備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢測。

kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀

技術(shù)參數：
 溫度范圍：室溫~1300攝氏度；
 溫度重復性：0.2攝氏度；
 溫度分辨率：0.1攝氏度；
 穩定性：+/-0.2攝氏度；

主要特點(diǎn)：
    *實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監測；
    *多基片/晶片表面2D溫度Mapping監測；
    *真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監測；
    *整合了新的黑體輻射監測技術(shù)；
    *沉積速率和薄膜厚度分析；
    *表面粗糙度分析功能；
    *測量波長(cháng)范圍可選（例如：可見(jiàn)光波段、近紅外波段等）
    *避免了發(fā)射率變化對測量的影響；
    *無(wú)需沉積設備Viewport特殊涂層；