鋰離子電池電極應力測量系統采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對樣品表面應力分布進(jìn)行統計分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應力、曲率成像分析；客戶(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量；并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對測試結果的影響；同時(shí)提高測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應力分析；

原位薄膜應力測量系統kSA MOS Film Stress Measurement System，又名原位薄膜應力計或原位薄膜應力儀！


采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對樣品表面應力分布進(jìn)行統計分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應力、曲率成像分析；客戶(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量；并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對測試結果的影響；同時(shí)提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應力分析；

典型用戶(hù)：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計量科學(xué)院等、半導體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

鋰離子電池電極應力測量系統

相關(guān)產(chǎn)品：
 *實(shí)時(shí)原位薄膜應力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長(cháng)過(guò)程中的應力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測量和二維成像分析；
 *薄膜熱應力測量系統（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
 *薄膜應力測量系統（kSA MOS Film Stress Measurement System）

設備名稱(chēng)：

kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;

主要特點(diǎn)：

  1.MOS多光束傳感器技術(shù)；
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱(chēng)窗口)系統設計；
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統等各種真空薄膜沉積系統以及熱處理設備等；
  4.薄膜應力各向異性測試和分析功能；
  5.生長(cháng)速率和薄膜厚度測量；（選件）
  6.光學(xué)常數n&k 測量；（選件）
  7.多基片測量功能；（選件）
  8.基片旋轉追蹤測量功能；（選件）
  9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統安裝時(shí)可設置多個(gè)測試點(diǎn)；
  10.免除了測量丌受真空系統振動(dòng)影響；

測試功能：

  1.實(shí)時(shí)原位薄膜應力測量
  2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量
  3.實(shí)時(shí)原位應力*薄膜厚度曲線(xiàn)測量
  4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(cháng)全過(guò)程應力監控等

充放電過(guò)程

動(dòng)力學(xué)循環(huán)過(guò)程