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kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀是一種非接觸、實(shí)時(shí)測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實(shí)現了晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測。

薄膜生長(cháng)速率測試儀，采用無(wú)損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應用于金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統Sputtering和蒸發(fā)系統等薄膜沉積過(guò)程的實(shí)時(shí)原位監控。

鋰離子電池電極應力測量系統采用多光束光學(xué)傳感器系統（kSA MOS）原位實(shí)時(shí)應力測量分析，可研究鋰離子電池反應動(dòng)力學(xué)過(guò)程中或在正常使用過(guò)程中內部會(huì )產(chǎn)生應力，對其電化學(xué)性能的影響；即就是在充放電過(guò)程中鋰離子電池外殼表面的應力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系；進(jìn)而分析充放電過(guò)程中應力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應力,充放電曲線(xiàn)不重合。